代理德國B(niǎo)ALLUFF|BSP00H3壓力傳感器

德國B(niǎo)ALLUFF巴魯夫BSP00H3壓力傳感器它一般采用圓形金屬薄膜或鍍金屬薄膜作為電容器的一個(gè)電極，當薄膜感受壓力而變形時(shí)，薄膜與固定電極之間形成的電容量發(fā)生變化，通過(guò)測量電路即可輸出與電壓成一定關(guān)系的電信號。電容式壓力傳感器屬于極距變化型電容式傳感器，可分為單電容式壓力傳感器和差動(dòng)電容式壓力傳感器，根據半導體PN結（或肖特基結）在應力作用下,I-υ特性發(fā)生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不穩定，未得到很大的發(fā)展。另一類(lèi)是根據半導體壓阻效應構成的傳感器，這是半導體壓力傳感器的主要品種。早期大多是將半導體應變片粘貼在彈性元件上，制成各種應力和應變的測量?jì)x器。

這種壓力傳感器結構簡(jiǎn)單可靠，沒(méi)有相對運動(dòng)部件，傳感器的壓力敏感元件和彈性元件合為一體，免除了機械滯后和蠕變，提高了傳感器的性能。半導體的壓阻效應 　半導體具有一種與外力有關(guān)的特性，隨所承受的應力而改變，稱(chēng)為壓阻效應。單位應力作用下所產(chǎn)生的電阻率的相對變化，稱(chēng)為壓阻系數,以符號π表示。半導體電阻承受應力時(shí)所產(chǎn)生的電阻值的變化，主要由電阻率的變化所決定，所以上述壓阻效應的表達式也可寫(xiě)在外力作用下,半導體晶體中產(chǎn)生一定的應力(σ)和應變(ε)，它們之間的相互關(guān)系

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若以半導體所承受的應變來(lái)表示壓阻效應，則是 墹R/R=Gε稱(chēng)為壓力傳感器的靈敏因子，它表示在單位應變下所產(chǎn)生的電阻值的相對變化單電容式壓力傳感器，它由圓形薄膜與固定電極構成。薄膜在壓力的作用下變形，從而改變電容器的容量，其靈敏度大致與薄膜的面積和壓力成正比而與薄膜的張力和薄膜到固定電極的距離成反比。另一種型式的固定電極取凹形球面狀，膜片為周邊固定的張緊平面，膜片可用塑料鍍金屬層的方法制成。這種型式適于測量低壓，并有較高過(guò)載能力。還可以采用帶活塞動(dòng)極膜片制成測量高壓的單電容式壓力傳感器。這種型式可減小膜片的直接受壓面積，以便采用較薄的膜片提高靈敏度。它還與各種補償和保護部以及放大電路整體封裝在一起，以便提高抗干擾能力。這種傳感器適于測量動(dòng)態(tài)高壓和對飛行器進(jìn)行遙測。單電容式壓力傳感器還有傳聲器式

技術(shù)參數：

余波 (Ue的百分比) 15 %

關(guān)閉延時(shí)toff 0.02 ms

安全開(kāi)關(guān)場(chǎng)強Ha 2 kA/m

工作電壓Ub 10~30 VDC

應用分類(lèi) DC -13

開(kāi)關(guān)頻率 30000 Hz

接通延時(shí)值 0.02 ms

剩余電流lr 10 µA

無(wú)功電流Io，無(wú)衰減 3.5 mA

負載電容，在Ue下 1 µF

測量工作電壓Ue DC 24 V

測量工作電流Ie 100 mA

測量開(kāi)關(guān)場(chǎng)強Hn 1.2 kA/m

測量短路電流 100 A

測量絕緣電壓Ui 75 V DC

電壓降，靜態(tài)， 1 V

輸出電阻RA 漏極開(kāi)路

遲滯H (Hn的百分比) 45 %

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